Trfc оперативки что лучше больше или меньше


Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core — i2HARD

Статьи • 10 Ноября 2019 • Админ Геннадий

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому. 

Делимся переводом, приятного прочтения.

Содержание

  • Подготовка
  • Ожидания и ограничения
    • Материнская плата
    • Микросхемы
      • Отчёты Thaiphoon Burner
      • О рангах и объёме
      • Масштабирование напряжения
      • Ожидаемая максимальная частота
      • Биннинг
      • Максимальное рекомендованное повседневное напряжение
      • Ранговость
    • Встроенный контроллер памяти (IMC)
      • Intel – LGA1151
      • AMD – AM4
  • Разгон
    • Нахождение максимальной частоты
    • Пробуем повысить частоты
    • Оптимизация таймингов
    • Дополнительные советы

Подготовка

  • Проверьте, что ваши планки находятся в рекомендуемых слотах DIMM (обычно 2 и 4).
  • Перед разгоном памяти убедитесь, что ваш процессор полностью исправен, так как нестабильный процессор может привести к ошибкам памяти. При повышении частоты с жесткими таймингами, ваш процессор может начать работать нестабильно.
  • Убедитесь, что используется актуальная версия UEFI.
  • С помощью утилиты Thaiphoon определите тип микросхем вашей оперативной памяти. От него зависит, на какую частоту и тайминги можно рассчитывать.
  • Протестируйте память с помощью MemTestHelper или аналогичного тестера. Утилита Karhu RAM Test (платная) также неплоха. Я бы не советовал тест памяти AIDA64 и Memtest64, поскольку обе они не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.
  • TM5 с экстремальными настройками от anta777, кажется, работает быстрее, чем Karhu RAM Test при поиске ошибок. Один пользователь тщательно тестировал эту утилиту, и ни одна ошибка не ускользнула от него.
  • Обязательно загрузите конфиг. При успешной загрузке должно быть написано «Customize:[email protected]».
  • Благодарность: u/nucl3arlion
  • Утилиты для просмотра таймингов в Windows:
  • Бенчмарки (тесты производительности):
    • AIDA64 – бесплатная 30-дневная пробная версия. Мы будем использовать тесты кэша и памяти (находятся в разделе Tools), чтобы посмотреть, как работает наша память. Щёлкнув правой кнопкой по кнопке запуска теста, можно выбрать запуск только тестов памяти, пропустив тесты кэша.

i2hard.ru

Что такое тайминги? / Overclockers.ua

Сегодня мы поговорим о наиболее точном определении таймингов и подтаймингов. Большинство статей в сети обладают ошибками и неточностями, а в очень достойных материалах не всегда рассмотрены все тайминги. Мы же постараемся восполнить этот пробел и дать как можно полную характеристику тем или иным временным задержкам.

Структура памяти напоминает таблицу, где сначала выбирают строку, а затем столбец. Эта таблица разбита на банки, для памяти плотностью меньше 64Мбит (SDRAM) количеством 2 штуки, выше - 4 (стандартно). Спецификация память DDR2 SDRAM с чипами плотностью 1Гбит предусматривает уже 8 банков. На открытие строки в используемом банке уходит больше времени, нежели в другом (т.к. используемую строку нужно сначала закрыть). Очевидно, что лучше новую строку открывать в новом банке (на этом основан принцип чередования строк).

Обычно на памяти (или в спецификации к ней) есть надпись вида 3-4-4-8 или 5-5-5-15. Это сокращенная запись (так называемая схема таймингов) основных таймингов памяти. Что же такое тайминги? Очевидно, что ни одно устройство не может работать с бесконечной скоростью. Значит, на выполнение любой операции уходит какое-либо время. Тайминги - это задержка, устанавливающая время, необходимое на выполнение какой-либо команды, то есть время от отправки команды до ее выполнения. А каждая цифра обозначает какое именно время необходимо.

Теперь разберем каждый по очереди. Схема таймингов включает в себя задержки CL-Trcd-Trp-Tras соответственно. Для работы с памятью необходимо для начала выбрать чип, с которым мы будем работать. Делается это командой CS# (Chip Select). Затем выбирается банк и строка. Перед началом работы с любой строкой необходимо ее активировать. Делается это командой выбора строки RAS# (при выборе строки она активируется). Затем (при операции линейного чтения) нужно выбрать столбец командой CAS# (эта же команда инициирует чтение). Затем считать данные и закрыть строку, совершив предварительный заряд (precharge) банка.

Тайминги расположены по порядку следования в простейшем запросе (для простоты понимания). Сначала идут тайминги, затем подтайминги.

Trcd, RAS to CAS delay - время, необходимое для активизации строки банка, или минимальное время между подачей сигнала на выбор строки (RAS#) и сигнала на выбор столбца (CAS#).

CL, Cas Latency - минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

Tras, Active to Precharge - минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени.

Trp, Row Precharge - время, необходимое для предварительного заряда банка (precharge). Иными словами, минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка.

CR, Command Rate 1/2T - Время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. Иначе, минимальное время между подачей двух команд. При значении 1T команда распознается 1 такт, при 2T - 2 такта, 3T - 3 такта (пока только на RD600).

Это все основные тайминги. Остальные тайминги имеют меньшее влияние на производительность, а потому их называют подтаймингами.

Trc, Row Cycle Time, Activate to Activate/Refresh Time, Active to Active/Auto Refresh Time - минимальное время между активацией строк одного банка. Является комбинацией таймингов Tras+Trp - минимального времени активности строки и времени ее закрытия (после чего можно открывать новую).

Trfc, Row Refresh Cycle Time, Auto Refresh Row Cycle Time, Refresh to Activate/Refresh Command Period - минимальное время между командой на обновление строки и командой активизации, либо другой командой обновления.

Trrd, ACTIVE bank A to ACTIVE bank B command, RAS to RAS Delay, Row Active to Row Active - минимальное время между активацией строк разных банков. Архитектурно открывать строку в другом банке можно сразу за открытием строки в первом банке. Ограничение же чисто электрическое - на активацию уходит много энергии, а потому при частых активациях строк очень высока электрическая нагрузка на цепи. Чтобы ее снизить, была введена данная задержка. Используется для реализации функции чередования доступа к памяти (interleaving).

www.overclockers.ua

Как узнать тайминги оперативной памяти

Если вы решили заняться разгоном оперативной памяти, то вам однозначно придется столкнуться с таким понятием, как тайминги. Если говорить простыми словами — то это задержка от отправки сигнала к оперативной памяти, до получения результата операции. Таких таймингов есть несколько, так как есть несколько операций работы с памятью.

От правильности установки таймингов зависит то, насколько быстро и стабильно будет работать оперативная память. С одной стороны, чем меньше тайминги (задержки) тем быстрее будет проходить обмен данными, но и стабильность работы памяти будет ниже. Также при повышении частоты тайминги тоже надо увеличивать, чтобы повысить стабильность. Но прежде чем что-либо менять, вам надо знать текущие значения параметров. В этой статье мы рассмотрим как посмотреть тайминги оперативной памяти с помощью различных утилит.

Содержание статьи:

Что означают основные тайминги?

Вот основные операции с памятью, которые выполняет компьютер:

  • Активация (Activate) — открывает ряд ячеек для работы. Для того чтобы провести чтение или запись в ячейку, необходимо сначала её активировать. После активации ячейка будет активна до получения команды освобождения.
  • Освобождение (Precharge) — закрывает открытый ряд ячеек или несколько. Ячейки переводятся в состояние ожидания. Данные в них хранятся, но для получения к ним доступа, ячейку надо активировать.
  • Read and Write — чтение или запись данных.
  • Обновление (Refresh) — обновление заряда ячеек, без смены хранимых в них данных.

Все тайминги деляться на три категории: первичные, вторичные и третичные. Самые основные из них — это первичные. Обычно они и указываются на упаковке памяти памяти (например, 16-16-16-32 2T) и их же чаще всего настраивают в BIOS. Вот основные тайминги:

  • CAS Latency (tCL/tCAS) — задержка между отправкой адреса ячейки и началом чтения данных из неё. Это количество циклов работы памяти, которые продут до получения первого бита данных из запрошенной ячейки. В отличие от других параметров, это не максимум, а точное число, которое должно быть синхронизировано для контроллера и памяти. Это самый важный параметр;
  • RAS to CAS Delay (tRCD) — указывает количество циклов между открытием ряда ячеек памяти и моментом, когда можно будет получить к этим ячейкам доступ. Иногда обозначается отдельно для записи и для чтения. Время чтения данных из памяти если ячейки не были активированы ранее будет составлять tCAS + tRCD;
  • Row Precharge Time (tRP) — минимальное количество циклов работы памяти, от закрытия ранее активированного ряда ячеек и открытием следующего. Если изначально был открыт неверный ряд, общее время чтения из памяти будет составлять tRP + tRCD + CL.
  • Row Active Time (tRAS) — минимальное количество циклов работы памяти между активацией ряда ячеек и его закрытием. Это время, необходимое для смены ряда ячеек и оно пересекается с tRCD.
  • Command Rate (CR/CMD/CPC/tCPD) — количество циклов межу активацией чипа памяти и выполнением команды. Для большей стабильности обычно используется значение 2T, однако часто можно встретить значение 1T.

К вторичным таймингам относятся tWR, tRFC, tRDD_L, tRDD_S, tWTR_L, tWTR_S, tRTP, tFAW, и tCWL однако они используются намного реже.

Как узнать тайминги оперативной памяти

1. Ryzen Timing Checker

Если вы хотите узнать все текущие тайминги, включая не только основные, но и вторичные, вам поможет утилита Ryzen Timing Checker. Она отображает все тайминги в одном окне списком:

2. CPU-Z

Также вы можете узнать тайминги оперативной памяти компьютера, запустив утилиту CPU-Z. Здесь надо открыть вкладку SPD, а затем выбрать слот, в который установлена одна из планок памяти в разделе Memory slot selection:

Однако здесь отображается не текущая конфигурация, а данные, сохраненные в SPD профиле оперативной памяти. И здесь может быть несколько записей, обозначенных заголовком JEDEC. Joint Electron Device Engineering Council — это организация, которая создает и публикует стандарты для оперативной памяти DDR4, DDR5, SSD, ESD, GDDR6 и других видов памяти.

Производители оперативной памяти выпускают память, строго по стандартам JEDEC, однако могут дать модулям возможность работать на более высокой скорости. Поэтому появляется несколько вариантов профилей. Также есть профили XMP, которые уже используются для более серьезного разгона.

3. Aida64

Также можно узнать тайминги оперативной памяти AIDA64. Для этого откройте в левой панели пункт Системная плата -> SPD. Здесь вы аналогично CPU-Z найдете подробную информацию о профилях таймингов, записанных в SPD хранилище памяти, а также о доступных XMP профилях:

Однако здесь намного больше информации по каждому профилю, кроме того доступна информация по субтаймингах.

4. Thaiphoon Burner

Самая популярная программа для работы с оперативной памятью. Позволяет не только смотреть всю доступную информацию, но и выполнять прошивку планок памяти. После запуска программы необходимо нажать кнопку Read и выбрать одну из планок памяти:

Чтобы увидеть информацию о таймингах достаточно пролистать список параметров вниз:

Выводы

В этой небольшой статье мы рассмотрели как посмотреть тайминги оперативной памяти. Зная тайминги, заданные произвоидтелем, вы сможете более тонко настроить вашу память, а также потратите меньше времени на эксперименты для подбора подходящих значений.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

te4h.ru

Что такое тайминги оперативной памяти?

Здравствуйте, дорогие друзья. С вами Артём.

Что такое тайминги оперативной памяти? Вот об этом и сегодня и поговорим.

P.S. О разгоне оперативной памяти можно посмотреть тут.

Видео версия статьи:

Тайминги, как и другая полезная информация маркируется на корпусе планки оперативной памяти.

Тайминги состоят из группы цифр.

На некоторых планках тайминги указаны полностью, а на других указывается только CL задержка.

Тайминги указаны полностью

Указание только CL, а данном случае CL9

Что такое CL тайминг вы узнаете по ходу статьи.

В этом случае полный список таймингов можно узнать на сайте производителя планки, по номеру модели.

Любая оперативная память DDR (1,2,3,4) имеет одинаковые принципы работы.

Память имеет определённую частоту работы в МГц и тайминги.

Чем тайминги меньше, тем быстрее процессор может получить доступ к ячейкам памяти на микросхемах.

Соответственно получаются меньше задержек при считывании и записи информации в оперативную память.

Наибольшее распространение получил тип памяти DDR SDRAM, который имеет ряд особенностей.

Частоты:

С контроллером памяти она (память) общается на частоте в половину меньшей, чем та, которая указана на маркировке плашки оперативной памяти.

Например, DDR3 работающая на частоте 1866 МГц в диагностических программах, например, CPU-Z будет отображена как 933 МГц.

Эффективная частота оперативной памяти

Так что на корпусе планки оперативной памяти указывается эффективная частота работы памяти, тогда как в реальности, частоты работы в два раза ниже.

Линии адреса, данных и управления передаются по одной шине в обе стороны, что и позволяет говорить об эффективной частоте работы оперативной памяти.

Данные передаются по 2 бита на один синхроимпульс, как по фронту, так и по спаду тактового импульса, что и удваивает эффективную частоту работу памяти.

P.S. Частота оперативной памяти складывается из коэффициента умножения (множителя) на частоту системной шины.

Например, частота системной шины процессора 200 МГц (какой ни будь Pentium 4), а множитель=2, то результирующая частота памяти будет 400 МГц (800 МГц эффективная).

Это значит, что для разгона оперативной памяти, нужно разогнать процессор по шине (либо выбрать нужный множитель памяти).

Для новых платформ (LGA 1151 и так далее) всё несколько проще, доступен расширенный список множителей.

P.S. Все манипуляции по частотам, таймингам и напряжениям производятся в BIOS (UEFI) материнской платы.

Тайминги:

Модули памяти, работающие на одной и той же частоте, но имеющие разные тайминги в тоге могут иметь разную итоговую скорость работы.

Тайминги указывают на количество тактовых импульсов, для выполнения микросхемой памяти той или иной операции. Например, поиска определённой ячейки и записи в неё информации.

Сама же тактовая частота определяет с какой скоростью в Мегабайтах в секунду будут идти операции чтения/записи, когда чип уже готов выполнить команду.

Тайминги обозначаются цифрами, например, 10-11-10-30.

DDR3 1866 МГц 9-9-9-10-28 будет быстрее чем DDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Если обратиться к базовой структуре ячейки памяти, то получится вот такая табличная структура.

Структура оперативной памяти

То есть структура строк и столбцов, по номеру которых можно обратиться к тому или иному байту памяти, для чтения или записи данных.

Что же конкретно обозначают цифры таймингов?

Обратимся к примеру, выше DDR3 1866 МГц 10-11-10-30.

Цифры по порядку:

10 – это CAS Latency (CL)

Одна из важнейших задержек (таймингов). От него в большей степени будет зависеть скорость работы оперативной памяти.

Чем меньше первая цифра из таймингов, тем она быстрее.

CL указывает на количество тактовых циклов, необходимых для выдачи запрашиваемых данных.

На рисунке ниже вы видите пример с CL=3 и CL=5.

Что такое тайминги CAS Latency (CL)

В результате память с CL=3 на 40% быстрее выдаёт запрашиваемые данные. Можно даже посчитать задержку в нс (наносекунда = 0,000000001 с).

Чтобы вычислить период тактового импульса для оперативной памяти DDR3 1866 МГц, нужно взять её реальную частоту (933 МГц) и воспользоваться формулой:

T = 1 / f

1/933 = 0,0010718113612004 секунды ≈ 1,07 нс.

1,07*10(CL) = 10,7 нс. Таким образом для CL10 оперативная память задержит выдачу данных на 10,7 наносекунды.

P.S. Если последующие данные располагаются по адресу следующему за текущем адресом, то данные не задерживаются на время CL, в выдаются сразу же за первыми.

11 – это RAS to CAS Delay (tRCD)

Сам процесс доступа к памяти сводится к активации строки, а затем столбца с нужными данными. Данный процесс имеет два опорных сигнала – RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe).

Также величина этой задержки (tRCD) является числом тактов между включением команды «Активировать (Active и командой «Чтение» или «Запись».

Что такое тайминги RAS to CAS Delay (tRCD)

Чем меньше задержка между первым и вторым, тем быстрее происходит конечный процесс.

10 – это RAS Precharge (tRP)

После того как данные получены из памяти, нужно послать специальную команду Precharge, чтобы закрыть строку памяти из которой считывались данные и разрешить активацию другой строки с данными. tRP время между запуском команды Precharge и моментом, когда память может принять следующую команду «Active». Напомню, что команда «Active» запускает цикл чтения или записи данных.

Чем меньше эта задержка, тем быстрее запускается цикл чтения или записи данных, через команду «Active».

Что такое тайминги RAS Precharge (tRP)

P.S. Время которое проходит с момента запуска команды «Precharge», до получения данных процессором складывается из суммы tRP + tRCD + CL

30 – это Cycle Time (tRAS) Active to Precharge Delay.

Если в память уже поступила команда «Active» (и в конечном итоге процесс чтения или записи из конкретной строки и конкретной ячейки), то следующая команда «Precharge» (которая закрывает текущую строку памяти, для перехода к другой) будет послана, только через это количество тактов.

То есть это время, после которого память может приступить к записи или чтению данных из другой строки (когда предыдущая операция уже была завершена).

Есть ещё один параметр, который по умолчанию никогда не изменяется. Разве что при очень большом разгоне памяти, для большей стабильности её работы.

Command Rate (CR, либо CMD), по умолчанию имеет значение 1T – один такт, второе значение 2T – два такта.

Command Rate (CR) оперативной памяти

Это отрезок времени между активацией конкретного чипа памяти на планке оперативной памяти. Для большей стабильности при высоком разгоне, часто выставляется 2T, что несколько снижает общую производительность. Особенно если плашек памяти много, как и чипов на них.

В этой статье я постарался объяснить всё более-менее доступно. Если, что, то всегда можно перечитать заново:)

Если вам понравился видео ролик и статья, то поделитесь ими с друзьями в социальных сетях.

Чем больше у меня читателей и зрителей, тем больше мотивации создавать новый и интересный контент:)

Также не забывайте вступать в группу Вконтакте и подписываться на YouTube канал.

YouTube канал Обзоры гаджетов

Вконтакте: Обзоры компьютерного железа, программ и гаджетов

До встречи в следующих публикациях и роликах. Пока пока:)


Это интересно:

Вы можете оставить комментарий ниже.

mstreem.ru

Разрушаем мифы о работе оперативной памяти

 В этой статье мы хотим затронуть темы, которые часто вызывают споры, и попробуем разобраться в следующих мифах и утверждениях

Мифы об оперативной памяти | Вся память DDR3 одинаковая

Одна эта тема заслуживает отдельной статьи, но мы постараемся обсудить ее вкратце и обозначим несколько тезисов.

Вспомним линейку ОЗУ Kingston Fury, которая не оснащается профилем XMP и вместо этого используют технологию plug and play. Модули имеют разумную цену, выглядят красиво, оснащаются разноцветными радиаторами и нацелены на пользователей старых систем, которые хотели бы обновить ОЗУ.

Но поскольку эта память базируется на PnP, она будут работать только с некоторыми чипсетами: H67, P67, Z68, Z77, Z87 и H61 от Intel, наряду с AMD A75, A87, A88, A89, A78 и E35. 

Также сюда можно добавить Z87 и Z97. Список чипсетов взят с сайта компании.

Также отличаются сами чипы:

  • Большая часть производимой сегодня ОЗУ использует чипы памяти высокой плотности 4 Гбит, а в старой DDR3 устанавливаются чипы меньшей плотности по 2 Гбит. Старые контроллеры памяти могут работать только с чипами с низкой плотностью. Один из наших редакторов недавно обнаружил, что ни одна из материнских плат на логике P55 не хотела работать с его модулями объемом 8 Гбайт. А если установить память с разными характеристиками, то модуль может не определиться или потерять стабильность.
  • Чипы памяти производят много компаний, которые придерживаются собственных спецификаций. Каждая линейка чипов тестируется или подвергается биннингу, и в соответствии с качеством чипа маркируется и выделяется в различные серии.

Большинство материнских плат для энтузиастов спроектированы с учетом поддержки не буферизованной памяти без использования кода коррекции ошибок (ECC). ЕСС, как правило, применяется в серверах и профессиональных рабочих станциях, где целостность данных имеет решающее значение, а буферизованные (регистровые) модули DIMM используются исключительно в серверах, требующих ультравысокой емкости памяти. Совмещение технологий в платформам high-end класса позволяет некоторым энтузиастам использовать ECC на своих материнских платах.

Также существует ОЗУ со слишком высокой скоростью передачи данных для вашего процессора, но будучи установленной в систему может работать с меньшей скоростью на базовых настройках.

Обычно мы рекомендуем сверяться с данными производителей ОЗУ, которые тратят немало времени на тестировании памяти на различных системных платах. Производители материнских плат также предоставляют списки аттестованных поставщиков (QVL) ОЗУ, продукцию которых они проверили на конкретной плате. Но обычно в этих списках указывается небольшое число производителей, чья память была в лаборатории. Потому лучше сверяться с перечнем изготовителя памяти.

Мифы об оперативной памяти | Нужно просто добавить больше ОЗУ

JEDEC – это ассоциация производителей электронных устройств и разработчиков, которые устанавливают отраслевые стандарты для повсеместной адаптации среди своих членов. Поскольку некоторые производители ОЗУ превысили установленный JEDEC максимум DDR3-1600 CAS 11 (а позже CAS 9) и предлагают более жесткие тайминги и более высокие скорости передачи данных, смешивание разных модулей ОЗУ оказалось не такой простой задачей, как изначально предполагалось.

Проще говоря, смешивание модулей ОЗУ из различных наборов не дает гарантии стабильной работы, даже если у вас есть два одинаковых набора одной модельной линейки. Хотим добавить, что модули DIMM, которые плохо работают вместе, часто, но не всегда, можно заставить работать с помощью регулировки напряжения и/или таймингов. Для статьи две компании вместо единых наборов ОЗУ объемом 32 Гбайт со скоростью 2400 MT/с прислали нам пару одинаковых наборов модулей в конфигурации 2 х 8 Гбайт. Изначально они не заработали вместе, но с помощью незначительных корректировок мы добились положительного результата.

В чем проблема? Ведь модули имеют одинаковые частоты, тайминги и напряжение.

DRAM в основном состоит из чипов памяти, припаянных к печатной плате. В процессе производства ОЗУ определенной модели производитель может израсходовать некоторую партию печатных плат, и затем перейти на новые PCB из другой производственной партии, что в результате, может отразиться на ряде характеристик.

То же самое может произойти с припоем. Производитель может начать использовать другой тип, который имеет слегка измененный проводящий свойств.

Также сами кристаллы могут быть разными. В процессе производства чипы проходят биннинг, то есть сортировку в соответствии с их качеством.

Давайте рассмотрим эту концепцию с теоретической точки зрения. В одной производственной партии может быть, скажем, 1000 чипов памяти, которые разделены или прошли биннинг. 200 чипов производитель может классифицировать как чипы начального уровня, 350 чуть получше, 300 чипов еще лучше и 150 первоклассных чипов. Затем они продают эти чипы разным производителям модулей памяти.

Если купить модули памяти DDR3-1866 от нескольких компаний, то, скорее всего, вы получите разные PCB, припой с различными проводящими свойствами и, вполне возможно, чипы разного уровня от разных производителей.

Сами чипы памяти выпускают несколько разных компаний, что только усугубляет проблему совместимости. Наверное, вы уже понимаете, почему смешивание разных модулей ОЗУ часто вызывает проблемы.

Также мы заметили, что большинство новых линеек ОЗУ используют чипы плотностью 4 Гбит, тогда как старые линейки - 2 Гбит.

Мифы об оперативной памяти | Существует всего несколько производителей DIMM

Это одновременно миф и заблуждение. Есть несколько компаний-производителей чипов памяти и множество производителей модулей ОЗУ. Есть модули ОЗУ, сделанные одной или несколькими компаниями для других фирм. Например, ОЗУ AMD Radeon производят Patriot и VisionTek.

Мифы об оперативной памяти | Поддержка DDR-3200 означает, что можно использовать любую ОЗУ

Чтобы использовать дорогую память стандарта 3200 МТ/с вам нужен процессор, который сумеет справиться с такой высокой скоростью передачи данных. В противном случае память будет работать только в режимах 1333, 1600 или 1866.

Во времена процессоров Intel LGA 775 разгон ЦП и ОЗУ выполнялся, в первую очередь, за счет FSB (системной шины). Допустим, у вас есть процессор Q6600 и ваша материнская плата поддерживает FSB 1066 МГц. В этом случае процессор будет работать на родной частоте 2,4 ГГц, а память на скорости 1066 МТ/с. Если вы хотите разогнать процессор с помощью повышения частоты FSB до 1333, то он будет работать на частоте 3 ГГц, а память в режиме 1333 MT/с. Другими словами, скорость памяти ограничивалась пределом частоты FSB. Контроллер памяти находился в чипсете, чаще в северном мосту материнской платы, и также работал на частоте FSB.

Сегодня контроллер памяти переехал в ЦП. Так что основным задающим фактором работы памяти на рекламируемых частотах является ЦП. Процессоры на базе архитектуры Haswell рассчитаны на память DDR3-1600, а чипы среднего и верхнего уровня, не принадлежащие к серии K, как правило, могут достаточно стабильно работать с памятью до 1866 - 2133 МТ/с. Процессоры серии K можно разгонять, и их контроллеры поддерживают модули с повышенной скоростью передачи данных, ориентированные на энтузиастов.

Текущая линейка процессоров FX от AMD поддерживает "до 1866 МТ/с на один канал DIMM". Тем не менее, вы можете столкнуться с проблемами при запуске памяти в режиме 1866 на процессорах начального, а иногда и среднего уровня. Отчасти это связано с тем, что контроллер памяти процессоров FX оптимизирован для DDR3-1333 (в соответствии с BIOS и Kernel Programming Guide). Как и любой другой процессор, чипы FX можно разогнать для работы со скоростями даже выше DDR3-1866, но это будет негативно сказываться на стабильности.

Мифы об оперативной памяти | При установке разных модулей ОЗУ работает на скорости (таймингах) самого медленного DIMM

Предположим, у вас есть модуль DDR3-1600 CAS 9 и вы добавляете еще один модуль, но уже 1866 CAS 9. Это может привести к тому, что ОЗУ будет работать на настройках, заданных материнской платой по умолчанию, то есть 1333 CAS 9 или 10 (многие материнские платы AMD использует по умолчанию 1066). Либо оба модуля будут работать в режиме 1600 CAS 9 (10 или даже 11), если перед установкой модуля DDR3-1866 были включены технологии DOCP, EOCP, XMP или AMP.

Но вы также можете установить параметры вручную. Как правило, в таких сценариях мы бы попробовали режим 1866 при 10-10-10-27, увеличив немного напряжение, примерно + 0,005 В. В зависимости от результатов можно подстроить напряжение контроллера памяти.

Мифы об оперативной памяти | Дешевле купить два набора DIMM, чем один большой и дорогой набор

Даже если купить два одинаковых набора, нет никакой гарантии, что они будут работать вместе. Модули ОЗУ, которые продаются в одном наборе, были протестированы на совместимость. Производители не гарантируют работоспособность смешанных наборов, даже если в них используются одинаковые модели модулей памяти.

Покупатели часто делают так с высокоскоростными модулями и в настройке полагаются на XMP. При включении XMP материнская плата может прочитать профиль двух планок ОЗУ и выставить второстепенные тайминги соответствующим образом, но тайминги tRFC для работы двух модулей могут иметь значение 226, в то время для связки из четырех модулей потребуется значение 314. Эту проблему трудно обнаружить, поскольку пользователи редко заходят в настройки вторичных таймингов.

Мифы об оперативной памяти | ОЗУ работает быстрее, когда заняты все слоты

Две планки ОЗУ дают меньшую нагрузку на контроллер памяти, чем четыре. Требуется меньше электроэнергии, контроллеру памяти нужно меньшее напряжение для стабильной работы, и ОЗУ, обычно, работает чуть-чуть быстрее, хотя это не заметно. То же самое касается трех- и четырехканальных системных плат. Пользователи часто заблуждаются, считая, что четыре модуля DIMM (часто продаются как четырехканальные наборы) всегда работают в четырехканальном режиме, хотя двухканальные материнские платы в принципе не могут так работать.

Мифы об оперативной памяти | ОЗУ быстрее 1600 МТ/с не дает прироста производительности

Верность этого утверждения зависит от нескольких факторов. Для процессоров со встроенным графическим ядром или APU это совершенно неверно, поскольку видеоядро использует системную память, и чем она быстрее – тем лучше!

Большинство тестов ОЗУ измеряют скорость чтения, записи и копирования. Многие игровые тесты при смене ОЗУ 1600 на 2133 демонстрируют прирост частоты кадров от 3 до 5 FPS. Это связано с тем, что в большинстве игр ОЗУ в основном используется в качестве канала для передачи информации в GPU, а также как буфер для часто используемых данных. Факт остается фактом, оперативная память может немного повысить FPS. Поскольку разница в цене между памятью 1600 и 2133 не всегда большая, иногда покупка более быстрой ОЗУ может быть оправдана.

Кроме того архиватор WinRAR берет данные из ОЗУ и сжимает их в ОЗУ перед записью на диск. При смене памяти DDR3-1600 на 2400 прирост скорости в тестах, использующих WinRAR, может достигать 25 процентов. Есть много других приложений, интенсивно использующих память: редактирование видео, работа с изображениями, CAD и так далее. Даже небольшое преимущество в скорости поможет сэкономить время, если вы работаете в таких приложениях.

Если вы используете ПК в офисном однозадачном режиме, например, делаете заметки, затем просматриваете веб-страницы, после просматриваете видео, то более быстрая ОЗУ вам точно не нужна. Если вы предпочитаете работать в многозадачном режиме, например, у вас одновременно открыта куча вкладок браузера, при этом вы работаете с большими таблицами или смотрите видео в окне, или работаете с изображениями и выполняете проверку на вирусы в фоновом режиме, то более быстрая память может принести определенные выгоды.

Вы можете проверить это самостоятельно, запустив несколько подобных приложений с памятью 1600 MT/с, а затем с более быстрой ОЗУ. Когда загрузите несколько приложений, запустите бенчмарк, например, SiSoftware Sandra и одновременно выполните архивацию большого файла с помощью WinRAR. Пока выполняются эти задачи, пройдитесь по открытым окнам Windows, затем проверьте результаты Sandra и время выполнения архивации.

Мифы об оперативной памяти | Объема 8 Гбайт хватит на следующие десять лет

Если вы действительно не любите многозадачность, то 8 Гбайт будет достаточно. Но это не относится к геймерам и энтузиастам. Пять лет назад было достаточно 2 Гбайт, затем 4 Гбайт и так далее.

Еще один факт: производители компьютеров часто скупятся на ОЗУ. Например, когда 2 Гбайт казалось достаточно, они устанавливали 1 Гбайт. Сегодня 6 - 8 Гбайт оперативной памяти считается нормой и 16 Гбайт тоже не редкость, поэтому вряд ли уровень 8 Гбайт долго протянет в качестве стандарта. Игры используют все больше ОЗУ. Если вы собираете новую систему и хотите чтобы она не потеряла актуальность за несколько лет, мы рекомендуем 16 Гбайт ОЗУ.

Мифы об оперативной памяти | Вы никогда не сможете задействовать 16 Гбайт памяти

Это заблуждение является продолжением предыдущего, но более относится к пользователям приложений, интенсивно использующих оперативную память, а также к тем, кто работает с большими объемами файлов и данных. Чем больше у вас ОЗУ, тем больше данных она может удерживать для мгновенного повторного доступа, вместо обращения к файлу на жестком диске или к сети для повторной загрузки.

Многие люди задействуют в системе более 20 Гбайт памяти одновременно почти каждый день, и это становится нормой среди участников форума Tom’s Hardware, которые часто обсуждают возможность максимизации производительности своих комплектов ОЗУ на 8 и 16 Гбайт.

Помните также, что производители проводят множество исследований и контактируют с разработчиками ПО и пользователями. Поэтому в том, что современные системные платы разрабатываются с учетом поддержки ОЗУ объемом 32 Гбайт, 64 Гбайт и 128 Гбайт (и более), безусловно, есть свои причины.

Мифы об оперативной памяти | Я не использую всю ОЗУ, поэтому дополнительная память не даст ускорения

В отдельных ситуациях увеличение объема ОЗУ может ускорить выполнение некоторых процессов. Многие программы регулируют количество данных, хранящихся в памяти, в зависимости от величины доступной оперативной памяти, так что больший объем ОЗУ экономит время, вмещая больше часто используемых данных в оперативной памяти (а не на жестком диске). Это может быть особенно полезно, когда вы работаете над проектами с разнообразными изображениями или видео, CAD, GIS, с виртуальными машинами и т.д. Еще одним преимуществом большого объема оперативной памяти является возможность создания RAM-диска для загрузки игр, приложений и других данных. Такой диск имеет свои скрытые недостатки, но многие пользователи в восторге от данной возможности.

Мифы об оперативной памяти | 64-разрядная ОС позволяет использовать любой объем ОЗУ

Многие люди полагают, что с 64-разрядной операционной системой можно использовать бесконечный объем ОЗУ, но это не так. В качестве примера приведем ограничения по объему оперативной памяти в Windows 7: 

Ограничения ОЗУ в Windows 7
x86 (32-бит) x64 (64-бит)
Windows 7 Ultimate 4 Гбайт 192 Гбайт
Windows 7 Enterprise 4 Гбайт 192 Гбайт
Windows 7 Professional 4 Гбайт 192 Гбайт
Windows 7 Home Premium 4 Гбайт 16 Гбайт
Windows 7 Home Basic 4 Гбайт 8 Гбайт
Windows 7 Starter 2 Гбайт не существует

И в Windows 8:

Ограничения ОЗУ в Windows 8
x86 (32-бит) x64 (64-бит)
Windows 8 Enterprise 4 Гбайт 512 Гбайт
Windows 8 Professional 4 Гбайт 512 Гбайт
Windows 8 4 Гбайт 128 Гбайт

Миф | Память с напряжением 1,65 В может повредить процессоры Intel

Для своих процессоров Intel рекомендует память с напряжением 1,50 В и определенной скоростью передачи данных. Для Haswell – это DDR3-1600. Однако смущает тот факт, что Intel также сертифицирует ОЗУ (даже DDR3-1600), которая работает при напряжении 1,60 и 1,65 вольт. Имейте в виду, что напряжение 1,60 - 1,65 В считается нормой для ОЗУ стандарта DDR3-2133 и выше.

Большинство памяти с более низкой скоростью передачи данных (например, DDR3-1333 и 1600) используют напряжение 1,50 В или меньше. Мы рекомендуем воздержаться от покупки оперативной памяти с такими скоростями, если ее напряжение составляет 1,65 В, поскольку это может означать, что производитель использовал самые дешевые и некачественные чипы памяти. Зачем ОЗУ с хорошими чипами вообще нужно напряжение 1,60 -1,65 В? Чтобы еще больше уберечь себя от проблем в будущем, мы бы рекомендовали не покупать память DDR3- 1866, напряжение которой превышает 1,50 В, если только она не имеет заниженные тайминги (CL7 или CL8).

Миф | Двухканальный режим удваивает скорость передачи данных, то есть ОЗУ работает в два раза быстрее

Это еще одно заблуждение. Когда вы устанавливаете две планки в двухканальном режиме, контроллер памяти не воспринимает ОЗУ как два отдельных 64-битных устройства, а как одно 128-битное устройство. Теоретически, это должно удвоить пропускную способность, но на практике прирост скорости составляет 20-50 процентов на процессорах Intel и чуть меньше на чипах AMD.

Как всегда, комментарии и конструктивная критика к статье приветствуются. 

servis2010.ru

тайминги оперативной памяти лучше меньше или больше

Меньше. Производительность будет почти одинаковая. В играх не имеет значения. Просто с меньшими берут для разгона. Ещё, которые меньшие, бывает глючат и приходится выставлять тайминги вручную на материнке.

Тайминги это задержка или отклик на запрос, чем меньше тем лучше

9-9-9-24 стабильнее, а 7-7-7-21 капризная так что лучше стабильность чем капризность. Да и особого увеличения производительности ты не заметишь.

меньше-лучше. но разница между таймингами не так существенна, нежели разница в частотах. вся разница колеблится в районе 3-5%, да и то в тестах.

touch.otvet.mail.ru


Смотрите также



© 2010- GutenBlog.ru Карта сайта, XML.